TD Electrocinétique 2: Circuits linéaires

Puissance et énergie

Exercice

Calculer la puissance instantanée reçue puis l’énergie emmagasinée durant une période pour:

  1. un condensateur C dont la tension à ses bornes est u(t)=umcos(ωt+ϕ)

  2. une bobine L dont l’intensité la traversant est i(t)=imcos(ωt+ϕ)

  3. une résistance R dont la tension à ses bornes est u(t)=umcos(ωt+ϕ)

Applications des lois de Kirchoff

Exercice

On considère le circuit ci-dessous. Déterminer l’intensité i qui traverse la résistance R (de la gauche vers la droite) en utilisant

  1. les lois des noeuds et des mailles

  2. la loi des noeuds en termes de potentiels

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Ohmètre à tarage shunt

Exercice

On considère le montage suivant qui modélise un ohmmètre à tarage shunt. Il comporte un générateur de f.e.m. E (de résistance interne négligeable), un milliampèremètre de résistance interne r, un rhéostat de résistance variable Rh et des résistors R1,R2. La résistance X est la résistance à mesurer.

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  1. Exprimer l’intensité i dans le milliampèremètre en fonction de E,R1,R2,Rh,r,X. Quelle est cette intensité i0 lorsque B et C (bornes de X) sont court-circuités?

  2. L’avantage du tarage shunt est qu’on peut choisir Rh très grande devant r. Donner dans ce cas l’expression de i sous la forme kEX+R en déterminant k et R.

  3. En déduire l’expression de X en fonction de i,i0 et R.

Générateur équivalent

Exercice

On considère le circuit suivant.

  1. Déterminer le générateur de Thévenin du circuit équivalent entre les bornes A et B.

  2. Donner la valeur de E pour laquelle le circuit est équivalent à une résistance pure (entre A et B) dont on précisera la valeur. A.N.: R=5Ω;E1=2V;E2=8V

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Maillage carré

Exercice

On considère le maillage suivant où chaque segment est une résistance R. Déterminer la résistance équivalente pour le dipôle pris entre B1 et B2 puis entre O et B2.

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Transistor bipolaire

Exercice

Un transistor bipolaire est un tripôle qui est toujours utilisé comme un quadripôle en rendant une de ses électrodes communes à l’entrée et la sortie. En régime linéaire basse fréquence, les équations d’un transistor bipolaire en émetteur commun E sont: ube=riB+μuce et iC=βiB+uceρ. On désire déterminer les valeurs des différentes grandeurs données dans l’équation.

  1. *Modéliser ce composant à l’aide de composants fondamentaux.

  2. On place ensuite un générateur idéal de courant entre B et E et un ampèremètre à la place du générateur de tensions entre C et E. Pour un courant de 10,00mA en entrée, on mesure au multimètre un courant de 0,9981 A. Grâce à une protocole adapté, on mesure r=2000Ω et ρ=20,00kΩ. \begin{enumerate}1. Déterminer le gain en tension et le gain en courant.

  3. Connaissant les valeurs de μ et β, proposer un protocole expérimental pour mesurer les valeurs de r et ρ.

  4. L’impédance d’entrée d’un voltmètre étant de 1Mω et la chute de tension maximale de l’ampèremètre de 0,2V, a-t-on eu raison de les considérer comme idéaux?

  5. Calculer l’amplification A=icib quand un résistor RL est connecté entre les bornes C et E. A.N.: RL=1kΩ

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